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El mercado de RAM magnetoresistiva (MRAM) alcanza los USD 1396.7 millones a una tasa compuesta anual de 18.58% | Oportunidades de mercado, estado de desarrollo, tendencias regionales
Se anticipa que el mercado de RAM magnetoresistiva (MRAM) habría crecido a una tasa compuesta anual de más del 18,58%, por un total de USD 1396,7 millones. Una RAM no volátil llamada memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio utiliza cargas magnéticas en lugar de cargas eléctricas para almacenar datos. The Honeywell Company creó dispositivos de memoria magnetorresistiva en 1990, que es cuando comenzaron los primeros avances del sistema. La alta densidad, el acceso aleatorio y la memoria no volátil fueron características confirmadas. La memoria RAM dinámica emplea cargas magnéticas, una alternativa a las cargas eléctricas, para almacenar bits de datos. El gadget se utiliza para mejorar los artículos electrónicos y permitirles almacenar grandes cantidades de datos y garantizar un acceso rápido. Los beneficios de la RAM dinámica y la RAM estática se combinan en esto. El mercado de RAM magnetoresistiva (MRAM) continuará expandiéndose como resultado de la creciente demanda de memoria independiente e integrada en electrónica de consumo, dispositivos inteligentes y dispositivos portátiles.
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RAM magnetoresistiva (MRAM) Jugadores clave del mercado:
- Toyota Corporation (Japón)
- NVE Corporation (Estados Unidos)
- Everspin Technologies Inc. (Estados Unidos)
- Avalanche Technology Inc. (Estados Unidos)
- Spin Memory, Inc. (Estados Unidos)
- Honeywell International Inc. (Estados Unidos)
- Samsung Electronics Co. Ltd (Corea del Sur)
- Numem Inc. (Estados Unidos).
Estos jugadores compiten entre sí en términos de los avances técnicos que pueden lograr las corporaciones en términos de la tasa de repetición de MRAM. Por ejemplo, en el transcurso de varios años, Everspin Technologies Inc., Avalanche Technology Inc., Numem Inc., NVE Corporation, Honeywell International Inc., Samsung Electronics Co. Ltd. y Spin Memory, Inc. han mejorado significativamente la calidad de sus procesos, lo que ha llevado a un aumento en el interés de los compradores, así como en el número de aplicaciones para sus productos.
RAM magnetoresistiva (MRAM) Análisis regional del mercado:
La investigación sobre el mercado de MRAM se ha realizado en las cinco regiones principales del mundo: Asia-Pacífico, América del Norte, Europa, Oriente Medio, África y América del Sur. La presencia de los principales actores importantes en el área es un factor vital en la contribución de la región al crecimiento del mercado global de MRAM. Estas empresas están a la vanguardia de la revolución de la memoria y el almacenamiento, siendo pioneras en nuevas tecnologías como la inteligencia artificial, el aprendizaje automático, el Internet de las cosas y los automóviles autónomos.
Se prevé que el crecimiento en Alemania sea el más alto de Europa. La creciente necesidad de diseños y componentes MRAM de baja potencia, compactos y de alto rendimiento es el principal impulsor que impulsa la expansión del mercado de MRAM en Alemania.
Ha habido un aumento en la financiación gubernamental para la investigación y producción de chips de memoria, lo que ha llevado a un aumento de la demanda en el área de Asia y el Pacífico.
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RAM magnetoresistiva (MRAM) Segmentación del mercado:
El mercado de memoria de acceso aleatorio magnetoresistiva (MRAM) está segmentado por producto, aplicación y geografía.
El futuro mercado de RAM resistiva magnética (MRAM) se divide en dos submercados distintos, STT y Toggle, según los tipos de productos que se espera vender. En 2020, el sector STT lideró el mercado y se pronosticó que crecería a una tasa compuesta anual de 19.35% durante el período de evaluación.
La cuota de mercado de MRAM frente a nand se ha dividido en muchos segmentos de acuerdo con sus respectivas industrias de uso final, como las relacionadas con la industria aeroespacial y militar, automotriz, robótica, electrónica de consumo y almacenamiento empresarial. Para el cierre de 2027, se prevé que el mercado aeroespacial y de defensa haya ganado $ 249.7 millones en ingresos.
El 27 de septiembre de 2021, el líder de la industria y proveedor de tecnología MRAM de próxima generación, Avalanche Technology lanzó nuevos dispositivos de memoria STT-MRAM de 64 Mb. En términos de tamaño, consumo de energía y fiabilidad, los nuevos productos P-SRAM industriales x16 paralelos de 64 Mb no tienen paralelo.
La última versión del producto Avalanche incluye soluciones industriales de alta fiabilidad en el factor de forma más pequeño y la menor potencia, lo que permite a los usuarios crear sistemas de arquitectura de memoria unificada para aplicaciones de registro de datos industriales.
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