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El tamaño del mercado de los sustratos de nitruro de galio ascenderá a 588,7 millones de dólares en 2030: IndustryARC
Se estima que el tamaño delmercado de los sustratos de nitruro de galio alcanzará los 588,7 millones de dólares en 2030, con un crecimiento interanual del 9,8% durante el periodo de previsión 2024-2030.La creciente demanda de sustratos de GaN por parte de la industria de los LED para automóviles, el aumento de la demanda de sustratos de banda ancha y la creciente necesidad de dispositivos de potencia basados en GaN están impulsando la demanda de sustratos de nitruro de galio por parte de los usuarios finales, según IndustryARC en su reciente informe titulado "Gallium Nitride Substrates Market Size, Share & Trends Analysis Report-By Type(GaN on Sapphire, GaN on Si, GaN on SiC, GaN on GaN), By Size (2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch), By End Use Product (Laser, diodos emisores de luz (LED), dispositivos electrónicos de potencia, dispositivos electrónicos de alta frecuencia, otros), por aplicación (servidores y centros de datos, LiDAR, aplicaciones de carga inalámbrica, fuentes de alimentación, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), otros), por sector de uso final (automoción, sanidad, electrónica de consumo, defensa, almacenamiento óptico, telecomunicaciones, comunicación por satélite, otros), por geografía - Análisis global de oportunidades & Previsión del sector, 2024-2030".
Solicitar una muestra del informe de investigación: https://www.industryarc.com/pdfdownload.php?id=1264
Asia-Pacífico registrará el mayor crecimiento:
Geográficamente, en la cuota de mercado de sustratos de nitruro de galio, Asia-Pacífico se analiza para crecer con la CAGR más alta del 10,6% durante el período de previsión 2024-2030. Japón, China y Corea son los países líderes en la región APAC, contribuyendo a más del 80% de la producción. Además, el 90% de la producción de sustrato de GaN a granel procede de actores de la región Asia-Pacífico, y Japón es el principal proveedor. Además, la inversión en tecnología 5G en la región también impulsa el mercado de sustratos de nitruro de galio. Por ejemplo, según el Departamento de Servicios de Información del Yuan Ejecutivo, de 2021 a 2025, el gobierno de Taiwán invertirá 1.800 millones de dólares adicionales en el marco del Programa de Desarrollo de Infraestructuras con Visión de Futuro para ayudar a la industria a acelerar y ampliar los esfuerzos para promover el establecimiento de infraestructuras 5G en todo el país.
Mercado de los sustratos de nitruro de galio2023-2030: alcance del informe
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Métrica del informe |
Detalles |
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Año base considerado |
2023 |
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Periodo de previsión |
2024-2030 |
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TACC |
9.8% |
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Tamaño del mercado en 2030 |
588.700 millones de dólares |
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Segmentos cubiertos |
Tamaño, tipo, producto de uso final, aplicación, industria de uso final y región |
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Geografías cubiertas |
Norteamérica (EE.UU., Canadá y México), Europa (Alemania, Francia, Reino Unido, Italia, España, Rusia y Resto de Europa), Asia-Pacífico (China, Japón, Corea del Sur, India, Australia y Resto de Asia-Pacífico), Sudamérica (Brasil, Argentina y Resto de Sudamérica), Resto del Mundo (Oriente Medio y África). |
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Principales actores del mercado |
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Acceda al informe completo: https://www.industryarc.com/Report/1264/GaN-substrates-market-research-report.html
Informe sobre el mercado de los sustratos de nitruro de galio:
Creciente demanda del sector inalámbrico 5G
Los dispositivos de RF basados en GaN ofrecen una mayor densidad de potencia, un ancho de banda más amplio y temperaturas de funcionamiento más bajas en comparación con los dispositivos de RF convencionales basados en silicio, lo que los hace muy adecuados para estaciones base 5G, amplificadores de RF y antenas phased array. A medida que se acelera el despliegue de las redes 5G en todo el mundo, aumenta la demanda de sustratos GaN para apoyar la expansión de las redes de comunicación inalámbricas de alta velocidad y baja latencia y permitir el desarrollo de dispositivos y aplicaciones avanzados habilitados para 5G.
Avances en la tecnología GaN sobre silicio
Los sustratos de GaN sobre silicio combinan las propiedades eléctricas superiores del GaN con la rentabilidad y escalabilidad de los procesos de fabricación de obleas de silicio, lo que permite la producción de sustratos de GaN de gran superficie a menor coste. Esta tendencia está impulsando el desarrollo de dispositivos de potencia, componentes de RF y dispositivos optoelectrónicos basados en GaN para diversas aplicaciones, como la automoción, la industria aeroespacial y la electrónica de consumo. Además, los avances en las técnicas de crecimiento epitaxial, la ingeniería de sustratos y las tecnologías de unión de obleas están mejorando aún más el rendimiento y la fabricabilidad de los sustratos de GaN sobre silicio, ampliando sus posibles aplicaciones y oportunidades de mercado.
Sustratos de gran pureza y sin defectos
El rendimiento de los dispositivos basados en GaN es muy sensible a la calidad del sustrato, incluidos los defectos cristalográficos, las impurezas y la rugosidad de la superficie. Por tanto, cada vez hay más demanda de sustratos de GaN de alta calidad con baja densidad de dislocaciones, alta perfección cristalina y morfología superficial uniforme. Los fabricantes de semiconductores y los proveedores de sustratos están invirtiendo en técnicas avanzadas de crecimiento de cristales, procesos de pulido de sustratos y medidas de control de calidad para producir sustratos de GaN de gran pureza que cumplan los estrictos requisitos de rendimiento de la electrónica de potencia, las aplicaciones de RF y los dispositivos optoelectrónicos.
Tamaño limitado del sustrato y problemas de calidad
Los sustratos de GaN suelen cultivarse en obleas de pequeño diámetro, como las de 2 ó 4 pulgadas, lo que limita el tamaño y la escalabilidad de la fabricación de dispositivos basados en GaN. Además, la calidad del cristal de los sustratos de GaN, incluidas las densidades de defectos, las dislocaciones y la rugosidad de la superficie, puede afectar al rendimiento y la fiabilidad de los dispositivos basados en GaN. A pesar de los esfuerzos por mejorar la calidad de los sustratos mediante técnicas avanzadas de crecimiento e ingeniería de sustratos, sigue siendo difícil conseguir sustratos de GaN de gran superficie y alta calidad que cumplan los estrictos requisitos de aplicaciones emergentes como la automoción, las telecomunicaciones y las energías renovables.
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Análisis de oportunidades clave:
Nuevas aplicaciones de electrónica de potencia
Los sustratos de GaN ofrecen unas propiedades eléctricas y térmicas superiores a las de los sustratos tradicionales de silicio, lo que los hace ideales para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y potencia, como convertidores de potencia, amplificadores de RF y controladores de LED. A medida que crece la demanda de sistemas electrónicos más compactos y eficientes desde el punto de vista energético en sectores como la automoción, la industria, las telecomunicaciones y las energías renovables, aumenta el interés por los dispositivos de potencia basados en GaN para aplicaciones como vehículos eléctricos, inversores solares, sistemas de carga inalámbrica y centros de datos. Esta tendencia ofrece oportunidades a los fabricantes de semiconductores, proveedores de sustratos e integradores de dispositivos para aprovechar la creciente demanda de sustratos GaN y desarrollar soluciones innovadoras basadas en GaN que respondan a las necesidades cambiantes del mercado de la electrónica de potencia.
Oportunidades emergentes en la electrónica del automóvil
Con el aumento de la electrificación y la autonomía de los vehículos, crece la demanda de sistemas electrónicos más eficientes, fiables y compactos en las plataformas de automoción. Los sustratos de GaN ofrecen ventajas como una mayor densidad de potencia, velocidades de conmutación más rápidas y un mejor rendimiento térmico, lo que los hace adecuados para su uso en transmisiones eléctricas, cargadores de a bordo, sistemas de gestión de energía y sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS). A medida que los fabricantes y proveedores de automóviles tratan de mejorar el rendimiento, la eficiencia y la seguridad de los vehículos, reduciendo al mismo tiempo las emisiones y la huella de carbono, aumenta el interés por las soluciones basadas en GaN para la electrónica del automóvil.
Si tiene alguna pregunta, no dude en ponerse en contacto con nuestros expertos en: https://www.industryarc.com/reports/request-quote?id=1264
El informe también cubre las siguientes áreas:
- Tamaño y previsión del mercado de sustratos de nitruro de galio
- Tendencias del mercado de sustratos de nitruro de galio
- Análisis del mercado de los sustratos de nitruro de galio por tipo
Mercado de los sustratos de nitruro de galio2023-2030: Aspectos más destacados
- CAGR del mercado durante el periodo de previsión 2024-2030
- Análisis de la cadena de valor de los principales interesados
- Análisis detallado de los impulsores y las oportunidades del mercado durante el periodo de previsión
- Estimación y previsión del tamaño del mercado de sustratos de nitruro de galio
- Análisis y predicciones sobre el comportamiento de los usuarios finales y las próximas tendencias
- Análisis del panorama competitivo y del mercado de proveedores, incluidas ofertas, desarrollos y datos financieros
- Análisis exhaustivo de los retos y limitaciones del mercado de sustratos de nitruro de galio
Impacto de la crisis de Covid y Ucrania:
La pandemia de COVID-19 impulsó la demanda de sustratos de nitrato de galio. Debido a los cierres y a las nuevas oleadas de infecciones, hubo una gran demanda de dispositivos médicos, así como de electrónica de consumo. En 2020, el Gobierno de India invirtió 33,87 millones de dólares en el proyecto de parque de dispositivos médicos de Sultanpur (Telangana) para el desarrollo de dispositivos médicos, 27,09 millones de dólares en el proyecto de modernización de la fábrica médica de Palghar, 68 millones de dólares en el proyecto de agrupación de dispositivos médicos y 136 millones de dólares en la fabricación de equipos médicos.
Ucrania y Rusia se encuentran entre los mayores productores de galio, según el Servicio Geológico de Estados Unidos. Sin embargo, debido a la crisis ucraniana, se producirá una escasez en el suministro de estas materias primas, lo que repercutirá en la producción de sustratos de GaN. Esta incertidumbre también ha contribuido a las fluctuaciones de los precios, lo que ha afectado a los fabricantes de sustratos de nitruro de galio en medio de una compleja situación geopolítica.
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Lista de actores clave del mercado de sustratos de nitruro de galio:
Las empresas clave perfiladas en el Informe del Mercado de Sustratos de Nitruro de Galio se enumeran a continuación:
- Kyocera Corporation
- Mitsubishi Chemical Corporation
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Saint Gobain (IVWorks)
- Pam Xiamen
- Toshiba Corporation
- Soitec
- GaN Systems Inc.
- Cree
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