Se prevé que el mercado de pulido de obleas de SiC crezca 6.454 millones de dólares en 2032

Visión global del mercado de pulido de obleas de SiC:

El tamaño del mercado de pulido deobleas de SiC se valoró en 0,351 mil millones de USD en 2022. Se prevé que la industria del mercado de pulido de obleas de SiC crezca de 0,485 mil millones de USD en 2023 a 6,454 mil millones de USD en 2032, exhibiendo una tasa de crecimiento anual compuesto (CAGR) del 38,20% durante el período de pronóstico (2023 - 2032).

Las obleas de carburo de silicio (SiC) desempeñan un papel crucial en la industria de los semiconductores, ya que ofrecen un rendimiento superior en aplicaciones de alta temperatura y alta potencia en comparación con las obleas de silicio tradicionales. Para aprovechar todo el potencial de los dispositivos basados en SiC, el proceso de fabricación debe incluir un pulido preciso y eficaz de las obleas de SiC. Este artículo analiza el mercado del pulido de obleas de SiC, sus recientes avances y su impacto en la fabricación de semiconductores.

Actores clave

• 3M

• Advanced Abrasives Corporation

• AGC Inc.

• Engis Corporation

• Entegris

• Ferro Corporation

• Fujifilm Holdings America Corporation

• Fujimi Incorporated

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La creciente importancia de las obleas de SiC:

A medida que aumenta la demanda de dispositivos electrónicos de alto rendimiento, las obleas de SiC han ido ganando protagonismo debido a sus excepcionales propiedades, entre las que se incluyen una alta conductividad térmica, un amplio bandgap y una robusta resistencia mecánica. Estas características hacen que el SiC sea ideal para la electrónica de potencia, los dispositivos de radiofrecuencia y otras aplicaciones en las que las obleas de silicio tradicionales se quedan cortas.

Retos en la fabricación de obleas de SiC:

Aunque las obleas de SiC ofrecen un rendimiento superior, su proceso de fabricación conlleva algunos retos. El SiC es un material duro y quebradizo, por lo que es difícil conseguir la lisura y planitud necesarias para las aplicaciones de semiconductores. La precisión en el pulido de las obleas es crucial para garantizar el rendimiento, la fiabilidad y la producción óptimos de los dispositivos.

Avances en el pulido de obleas de SiC:

1. Técnicas avanzadas de pulido: Los recientes avances en las técnicas de pulido han mejorado significativamente la eficiencia de la fabricación de obleas de SiC. Los procesos de pulido químico-mecánico (CMP) y esmerilado mecánico se han perfeccionado para lograr mayores índices de eliminación manteniendo la precisión. Estos avances contribuyen a acelerar los ciclos de producción y reducir los costes de fabricación.

2. Innovaciones en abrasivos: La elección de los abrasivos en el proceso de pulido es fundamental. Las innovaciones en materiales y formulaciones abrasivas han permitido mejorar los índices de arranque de material y los acabados superficiales. Esto no sólo aumenta la productividad, sino que también garantiza la producción de obleas de SiC de alta calidad con defectos mínimos.

3. Sistemas de pulido automatizados: La automatización se ha convertido en un factor clave en el pulido de obleas de SiC. Los sistemas automatizados ofrecen un control preciso de los parámetros de pulido, reduciendo los errores humanos y mejorando la repetibilidad. El resultado es una calidad constante de las obleas y un mayor rendimiento en las instalaciones de fabricación de semiconductores.

4. Supervisión y retroalimentación en tiempo real: La integración de sistemas de supervisión y retroalimentación en tiempo real permite a los fabricantes supervisar de cerca el proceso de pulido. Esto permite detectar rápidamente desviaciones o anomalías, lo que conduce a ajustes inmediatos y minimiza el riesgo de obleas defectuosas. La mejora del control del proceso contribuye a aumentar el rendimiento y a reducir el desperdicio de material.

Impacto en la fabricación de semiconductores:

Los avances en el pulido de obleas de SiC son fundamentales para acelerar la adopción de dispositivos basados en SiC en diversos sectores. La eficacia de los procesos de fabricación aumenta la capacidad de producción, lo que hace que los dispositivos de SiC sean más accesibles y rentables. Además, la calidad y fiabilidad mejoradas de las obleas de SiC pulidas contribuyen al desarrollo de componentes electrónicos de nueva generación con mayor rendimiento y durabilidad.

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Conclusiones:

Los recientes avances del mercado de pulido de obleas de SiC ponen de manifiesto el compromiso del sector para superar los retos de fabricación y aprovechar todo el potencial de los dispositivos semiconductores basados en SiC. A medida que las innovaciones siguen configurando el panorama del pulido de obleas de SiC, la industria de los semiconductores se prepara para una importante transformación que abrirá nuevas posibilidades para las aplicaciones electrónicas de alto rendimiento. Fabricantes e investigadores comparten el objetivo de aprovechar las propiedades únicas del SiC para impulsar la industria de los semiconductores hacia un futuro de eficiencia, fiabilidad e innovación.

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