Se prevé que el mercado mundial de dispositivos semiconductores GaN alcance los 29.600 millones de dólares en 2030, con una tasa de crecimiento interanual anual del 5,8% durante el periodo de previsión 2022-2030.

Panorama del mercado de dispositivos semiconductores GaN

Según un exhaustivo informe de investigación de Market Research Future (MRFR), GaN Semiconductor Devices Market Information By Type, By Size, By Device Type, By End Users and Region - Forecast till 2030", el mercado de los dispositivos semiconductores GaN podría crecer a un ritmo del 5,8% entre 2022 y 2030. El tamaño del mercado rondará los 29.600 millones de dólares a finales de 2030.

Sinopsis del mercado de dispositivos semiconductores GaN

Los dispositivos semiconductores GaN, abreviatura de dispositivos semiconductores de nitruro de galio, son componentes electrónicos fabricados a partir del material semiconductor nitruro de galio (GaN). Los dispositivos semiconductores de GaN ofrecen ventajas como alta eficiencia energética, funcionamiento a alta frecuencia y resistencia a altas temperaturas. Se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, como la electrónica de potencia, los dispositivos de RF, la iluminación y los sistemas de automoción. En la electrónica de potencia, los dispositivos semiconductores GaN se utilizan en fuentes de alimentación, inversores y cargadores de vehículos eléctricos, proporcionando una mayor eficiencia y factores de forma más pequeños. En aplicaciones de RF, los dispositivos GaN permiten operaciones de alta potencia y alta frecuencia en áreas como las comunicaciones inalámbricas, los sistemas de radar y las comunicaciones por satélite.

Panorama competitivo del mercado:

Entre las empresas afluentes del sector de la robótica submarina se encuentran

• RF Micro Devices Corporation
• Osram Optosemiconductores
• Cree Incorporated
• Toshiba
• Gallia Semiconductor
• ROHM Company Limited
• NXP Semiconductores
• Philips
• Nichia Corporation.

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Junio 2023

Cree Incorporated ha anunciado el lanzamiento de su nuevo transistor de RF GaN sobre carburo de silicio (SiC). Este desarrollo pone de manifiesto los continuos avances de la tecnología GaN, especialmente en el sector de RF, que permiten un mayor rendimiento y eficiencia en los sistemas de comunicación inalámbrica.

USP de mercado cubierto:

Impulsores del mercado de dispositivos semiconductores GaN:

Hay tres factores clave que impulsan el crecimiento del mercado de dispositivos semiconductores GaN. En primer lugar, la demanda de electrónica de potencia energéticamente eficiente está aumentando en diversos sectores, como la electrónica de consumo, la automoción y las energías renovables. Los dispositivos GaN ofrecen una eficiencia energética superior, lo que reduce el consumo de energía y el impacto medioambiental. En segundo lugar, la rápida expansión de las redes 5G y la demanda de transmisión de datos a alta velocidad requieren dispositivos de RF basados en GaN con mayor capacidad de manejo de potencia y velocidades de conmutación más rápidas. Por último, el creciente mercado de vehículos eléctricos impulsa la adopción de dispositivos semiconductores GaN en sistemas de carga de vehículos y electrónica de potencia, apoyando la transición hacia un transporte más limpio y sostenible.

Restricciones del mercado de dispositivos semiconductores GaN:

El mercado de los dispositivos semiconductores de GaN presenta ciertas limitaciones. Uno de ellos es el mayor coste de fabricación en comparación con los materiales semiconductores tradicionales, como el silicio. Este factor de coste puede limitar la adopción generalizada de los dispositivos de GaN, sobre todo en aplicaciones sensibles al precio. Además, la complejidad del proceso de fabricación y la necesidad de conocimientos especializados suponen barreras para el crecimiento del mercado. Por otra parte, la fiabilidad y durabilidad de los dispositivos GaN deben abordarse para generar confianza entre los usuarios finales, garantizando el rendimiento y la fiabilidad a largo plazo.

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Análisis COVID 19

La pandemia de COVID-19 ha tenido efectos tanto positivos como negativos en el mercado de dispositivos semiconductores de GaN. Las cadenas mundiales de suministro y las operaciones de fabricación sufrieron importantes interrupciones durante la pandemia, lo que provocó retrasos en el lanzamiento y la implantación de productos. Muchas empresas tuvieron dificultades para abastecerse de materias primas, componentes y equipos, lo que provocó ralentizaciones de la producción e incluso cierres temporales. Estas interrupciones tuvieron un impacto directo en la disponibilidad de dispositivos semiconductores GaN en el mercado.

Sin embargo, la pandemia también actuó como catalizador de la transformación digital en varios sectores. A medida que las empresas y los particulares se adaptaban al trabajo a distancia y a las soluciones en línea, aumentaba la demanda de centros de datos, infraestructuras de telecomunicaciones y herramientas de colaboración a distancia. Los dispositivos GaN, conocidos por su alta eficiencia y capacidad de manejo de potencia, se convirtieron en componentes esenciales en estas aplicaciones. Se demandaban amplificadores de potencia, dispositivos de RF y transistores de alta velocidad basados en GaN para satisfacer las crecientes necesidades de datos y garantizar una conectividad fiable.

Segmentación del mercado de dispositivos semiconductores GaN

Por tipo

El tipo de mercado incluye el nitruro de galio, los semiconductores de potencia, los opto semiconductores y los semiconductores de RF.

Por tamaño

El tamaño incluye 2 pulgadas, 3 pulgadas, 6 pulgadas

Por tipo de dispositivo

El tipo de dispositivo incluye diodos, transistores modernos, circuitos integrados de potencia, amplificadores y controladores de potencia.

Por usuarios finales

Los usuarios finales son la industria aeroespacial y de defensa avanzada, la automoción moderna y la medicina.

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Perspectivas regionales del mercado de dispositivos semiconductores GaN

El mercado de los dispositivos semiconductores de GaN está muy influido por la dinámica regional, y Norteamérica destaca como un actor importante en este sector. La región cuenta con una cuota de mercado sustancial, principalmente debido a la presencia de actores clave como Cree Incorporated y RF Micro Devices Corporation. Estas empresas se han consolidado como líderes en tecnología GaN, impulsando la innovación y los avances en este campo. Además, Norteamérica se beneficia de su avanzada infraestructura tecnológica, que permite la adopción generalizada de dispositivos GaN en diversos sectores.

La elevada adopción de dispositivos GaN en Norteamérica puede atribuirse a su rendimiento y eficiencia superiores a los de los materiales semiconductores tradicionales. Los dispositivos semiconductores GaN encuentran aplicaciones en sectores como la electrónica de potencia, los sistemas de radiofrecuencia y la iluminación, proporcionando ventajas significativas en términos de eficiencia energética, funcionamiento a alta frecuencia y resistencia a la temperatura. Las industrias de la región, como la electrónica de consumo, la automoción, la aeroespacial y la defensa, se benefician de las capacidades mejoradas que ofrecen los dispositivos GaN, lo que lleva a su adopción generalizada.

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