El tamaño del mercado de RF GaN alcanzará los USD 5.2 mil millones para 2030 | Análisis por tipo, aplicación y región

Perspectivas del mercado de RF GaN

Según el análisis de MRFR, se espera que el mercado global de RF GaN registre una CAGR de ~ 31% de 2021 a 2030 y mantenga un valor de más de ~ USD 5.2 mil millones para 2030.

Los transistores de GaN están encontrando su camino en aplicaciones de radio debido a sus características de frecuencia superiores. Para aumentar la productividad y ampliar el ancho de banda para satisfacer la tasa de transmisión de datos en continuo aumento, RF GaN es vital para la infraestructura inalámbrica. Se prevé que el mercado de RF GaN se vea significativamente influenciado por el aumento del uso de la tecnología 5G y las mejoras en la comunicación inalámbrica. Los transistores de potencia de GaN se utilizan cada vez más, lo que también puede ser ventajoso para los proveedores de telecomunicaciones. Debido a un aumento en las inversiones significativas en tecnologías de GaN, el mercado de RF GaN ha experimentado un crecimiento sustancial en varias industrias. GaN permite frecuencias más altas en aplicaciones más sofisticadas, radar de conteo, matrices en fase, estaciones transceptoras base para televisión por cable (CATV) y comunicaciones de defensa, gracias a los continuos avances en la tecnología de nitruro de galio (GaN).

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Actores clave

Algunos de los principales actores del mercado son-

• NXP Semiconductors NV (Países Bajos)
• STMicroelectronics NV (Suiza)
• Aethercomm Inc. (Estados Unidos)
• ROHM Semiconductors (Japón)
• Analog Devices Inc. (Estados Unidos)
• Toshiba Corporation (Japón)
• Cree Inc. (Estados Unidos)

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Análisis Regional

Asia-Pacífico dominó el mercado y se proyecta que registre una CAGR de 19.3% durante el período estimado. China, Japón, Taiwán y Corea del Sur representan alrededor del 66% del mercado mundial de semiconductores distintos. En aplicaciones militares, debido al aumento de los sistemas T / R en el radar aerotransportado, los dispositivos de GaN están reemplazando los voluminosos sistemas basados en tubos de onda viajera (TWT), lo que confirma que la defensa continuará entre los principales impulsores del mercado de GaN.

América del Norte es la segunda región más importante. Se proyecta que alcance un valor anticipado de USD 451 millones para 2030, registrando un CAGR del 18% durante el período estimado. Las personas que fabrican, diseñan y capacitan semiconductores en América del Norte se encuentran entre las primeras en utilizar nuevas tecnologías. El desarrollo del mercado de RF GaN en América del Norte está fuertemente conectado con el crecimiento de los sectores de usuarios finales como telecomunicaciones, aeroespacial, defensa y otros. La estrategia del gobierno probablemente va a elevar la expansión del mercado

Europa es la tercera región más importante. La región europea es el hogar de algunos centros tecnológicos vitales en todo el mundo y un importante impulsor y adoptante de la tecnología moderna. El mercado se está expandiendo debido al uso aumentado de tecnologías modernas y semiconductores en varios sectores regionales.

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Segmentación del mercado

El mercado global de RF GaN se ha segmentado en tipo y aplicación.

Según el tipo, el mercado global de RF GaN se ha segmentado en Gan on Sic, Gan on Silicon y Gan on Demand

Basado en la aplicación, el mercado global de RF GaN se ha segmentado en infraestructura inalámbrica 5G, aeroespacial y militar y defensa, otros

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